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समान मान के आठ संधारित्र श्रेणीक्रम में जुड़े हैं। उनकी तुल्य धारिता 200 µF है, प्रत्येक संधारित्र की धारिता _________ है।
25 µF
16 µF
160 µF
16 × 10 -4 F
16 × 10 -4 F
जब n समान संधारित्र श्रेणीक्रम में जोड़े जाते हैं, तो तुल्य धारिता Ceq एक इकाई की धारिता C को इकाइयों की संख्या n से विभाजित करने पर प्राप्त होती है। दिया गया है Ceq=200 µF और n=8, तो व्यक्तिगत धारिता C=n×Ceq=8×200 µF=1600 µF होगी।
जब n समान संधारित्र श्रेणीक्रम में जोड़े जाते हैं, तो तुल्य धारिता Ceq एक इकाई की धारिता C को इकाइयों की संख्या n से विभाजित करने पर प्राप्त होती है। दिया गया है Ceq=200 µF और n=8, तो व्यक्तिगत धारिता C=n×Ceq=8×200 µF=1600 µF होगी।
Ceq=nC — श्रेणीक्रम में n समान संधारित्रों के लिए तुल्य धारिता।
C=n×Ceq — श्रेणी तुल्यांक से व्यक्तिगत धारिता की गणना करने का सूत्र।
एक श्रेणी परिपथ में, कुल वोल्टेज संधारित्रों के बीच विभाजित हो जाता है, जिससे प्रति इकाई विभव पर समग्र आवेश भंडारण क्षमता कम हो जाती है। तुल्य धारिता का व्युत्क्रम व्यक्तिगत धारिताओं के व्युत्क्रमों के योग के बराबर होता है। समान संधारित्रों के लिए, यह Ceq=C/n संबंध में सरल हो जाता है।
संधारित्रों का श्रेणी संयोजन प्रभावी वोल्टेज रेटिंग को बढ़ाता है लेकिन कुल धारिता को कम करता है।
श्रेणीक्रम में कुल धारिता हमेशा सबसे छोटे व्यक्तिगत संधारित्र मान से कम होती है।
मान 1600 µF, 16×10−4 F के बराबर है क्योंकि 1 µF=10−6 F।
बैंक की ब्रेकडाउन वोल्टेज रेटिंग में वृद्धि।
वोल्टेज विभाजन के कारण कुल लीकेज करंट में कमी।
समग्र भंडारण क्षमता में कमी।
यदि संधारित्र बेमेल हों तो उच्च वोल्टेज इन्सुलेशन की आवश्यकता होती है।
उच्च-वोल्टेज संधारित्र बैंक।
पावर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में वोल्टेज ग्रेडिंग।
गणना: 1600×10−6 F=1.6×10−3 F=16×10−4 F।
विकल्प A 25 µF है, जो उस स्थिति के अनुरूप है यदि वे समानांतर में होते (Ceq=n×C)।
विकल्प C 160 µF है, जो श्रेणी स्केलिंग कारक की अनदेखी करने के कारण एक गणना त्रुटि है।
D सही है — व्यक्तिगत धारिता 1600 µF है, जो 16×10−4 F में परिवर्तित हो जाती है।
रूपांतरण के दौरान इकाई उपसर्गों की हमेशा सावधानीपूर्वक जांच करें; 1 µF=10−6 F। याद रखें कि श्रेणीबद्ध संधारित्र समानांतर प्रतिरोधकों की तरह व्यवहार करते हैं।