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Chapter 1 of 12 • Page 1 of 248🔒 Protected PDF • Watermarked
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एक अनबायस्ड (unbiased) pnp ट्रांजिस्टर में, बैरियर वोल्टेज बेस पर ___________ और एमिटर तथा कलेक्टर पर ___________ होता है।
ऋणात्मक (negative); ऋणात्मक (negative)
धनात्मक (positive); धनात्मक (positive)
ऋणात्मक (negative); धनात्मक (positive)
धनात्मक (positive); ऋणात्मक (negative)
धनात्मक (positive); ऋणात्मक (negative)
एक अनबायस्ड pnp ट्रांजिस्टर में, n-प्रकार के बेस क्षेत्र की तुलना में p-प्रकार के क्षेत्रों (एमिटर और कलेक्टर) में इलेक्ट्रोस्टैटिक विभव भिन्न होता है। विभव अंतर एक बैरियर बनाता है, जिसके परिणामस्वरूप एमिटर और कलेक्टर जंक्शनों पर बेस के सापेक्ष एक धनात्मक विभव होता है, या इसके विपरीत, बेस एमिटर और कलेक्टर क्षेत्रों के सापेक्ष एक धनात्मक बैरियर के रूप में कार्य करता है।
एक अनबायस्ड pnp ट्रांजिस्टर में, n-प्रकार के बेस क्षेत्र की तुलना में p-प्रकार के क्षेत्रों (एमिटर और कलेक्टर) में इलेक्ट्रोस्टैटिक विभव भिन्न होता है। विभव अंतर एक बैरियर बनाता है, जिसके परिणामस्वरूप एमिटर और कलेक्टर जंक्शनों पर बेस के सापेक्ष एक धनात्मक विभव होता है, या इसके विपरीत, बेस एमिटर और कलेक्टर क्षेत्रों के सापेक्ष एक धनात्मक बैरियर के रूप में कार्य करता है।
ϕb=qkTln(ni2NAND) — जंक्शन के आर-पार इन-बिल्ट विभव बैरियर वोल्टेज।
थर्मल संतुलन में, p-प्रकार और n-प्रकार की सामग्रियों के फर्मी स्तर संरेखित होते हैं, जिससे जंक्शन पर बैंड बेंडिंग होती है। एक pnp ट्रांजिस्टर के लिए, p-क्षेत्रों का विभव बेस क्षेत्र के n-प्रकार के विभव की तुलना में कम होता है, या अधिक सटीक रूप से, मेजॉरिटी कैरियर प्रसार को रोकने के लिए बेस में एक धनात्मक इन-बिल्ट विभव बैरियर ϕb होता है। परंपरागत रूप से, यह एमिटर और कलेक्टर क्षेत्रों के सापेक्ष बेस पर एक धनात्मक बैरियर वोल्टेज के रूप में प्रकट होता है।
एक pnp ट्रांजिस्टर दो p-n जंक्शनों से मिलकर बना होता है जो पीठ-से-पीठ जुड़े होते हैं।
n-प्रकार का बेस एमिटर से कलेक्टर तक जाने वाले होल्स (holes) के लिए एक विभव बैरियर के रूप में कार्य करता है।
बैरियर वोल्टेज को फर्मी स्तरों और डोपिंग सांद्रता के अंतर द्वारा परिभाषित किया जाता है।
संतुलन की स्थिति में, ड्रिफ्ट और डिफ्यूजन धाराओं के संतुलन के कारण कोई नेट धारा प्रवाहित नहीं होती है।
संतुलन में क्षेत्रों के बीच अंतर्निहित अलगाव प्रदान करता है।
बाहरी बायस लागू होने पर नियंत्रित स्विचिंग की अनुमति देता है।
सक्रिय संचालन के लिए बैरियर को दूर करने हेतु बाहरी बायसिंग की आवश्यकता होती है।
बैरियर की ऊंचाई तापमान पर निर्भर करती है।
BJT एम्पलीफायर सर्किट।
डिजिटल लॉजिक स्विचिंग तत्व।
बैरियर वोल्टेज, इन-बिल्ट विभव ϕbi का ही दूसरा नाम है।
विकल्प A गलत है क्योंकि मानक संतुलन मॉडल में दोनों तरफ विभव ऋणात्मक नहीं हो सकता।
विकल्प C बेस के लिए ऋणात्मक का सुझाव देता है, जो p-n जंक्शन विभव संरेखण के भौतिकी के विपरीत है।
D सही है — एक अनबायस्ड pnp ट्रांजिस्टर में, बेस क्षेत्र एमिटर और कलेक्टर के सापेक्ष उच्च विभव पर होता है, जो बेस पर एक धनात्मक विभव बैरियर और एमिटर/कलेक्टर क्षेत्रों पर एक ऋणात्मक विभव बैरियर बनाता है।
याद रखें कि इन-बिल्ट विभव हमेशा मेजॉरिटी कैरियर प्रवाह का विरोध करता है, और pnp ट्रांजिस्टर में बेस क्षेत्र n-प्रकार का होता है, जो स्वाभाविक रूप से संतुलन में p-प्रकार के क्षेत्रों की तुलना में उच्च विभव पर रहता है।
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