कोर टाइप ट्रांसफार्मर में, LV और HV वाइंडिंग को इस प्रकार व्यवस्थित किया जाता है कि

Question

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A: प्रत्येक लिम्ब पर आधा LV कोर के पास और आधा HV, LV के बाहर होता है

Explanation & Concepts:
कोर-टाइप ट्रांसफार्मर में, लो वोल्टेज (LV) वाइंडिंग को कोर के सबसे निकट रखा जाता है ताकि इंसुलेशन की आवश्यकता और कोर विंडो के आकार को कम किया जा सके। हाई वोल्टेज (HV) वाइंडिंग को LV वाइंडिंग के ऊपर उचित इंसुलेशन के साथ रखा जाता है, इस निर्माण को संकेंद्रित (concentric) वाइंडिंग व्यवस्था कहा जाता है।

Working Principle: LV वाइंडिंग को कोर के पास रखने से वाइंडिंग और अर्थेड मैग्नेटिक कोर के बीच इंसुलेशन की मोटाई काफी कम हो जाती है, जिससे डिजाइन अधिक कॉम्पैक्ट और लागत प्रभावी हो जाता है। चूंकि लीकेज रिएक्टेंस घुमावों (turns) की संख्या के वर्ग और वाइंडिंग के बीच की जगह के समानुपाती होता है, इसलिए यह संकेंद्रित व्यवस्था लीकेज फ्लक्स पथ को छोटा रखती है, जिससे कुल लीकेज रिएक्टेंस कम हो जाता है।

Key Formulas: $L_l \propto N^2 \cdot d$; $\Phi_l = \frac{F}{R_l}$

Key Points: इंसुलेशन लागत को कम करने के लिए LV वाइंडिंग को कोर के करीब रखा जाता है।; कनेक्शन और इंसुलेशन तक आसान पहुंच प्रदान करने के लिए HV वाइंडिंग को LV के बाहर रखा जाता है।; यह व्यवस्था उन्हें अलग करने की तुलना में कम लीकेज रिएक्टेंस प्रदान करती है।; इंसुलेशन परतें कोर और LV के बीच, तथा LV और HV के बीच रखी जाती हैं।

Advantages: LV वाइंडिंग के लिए आवश्यक महंगे इंसुलेशन की मात्रा में कमी।; बेहतर यांत्रिक शक्ति और कनेक्शन का आसान रखरखाव।; कम लीकेज रिएक्टेंस, जिससे वोल्टेज रेगुलेशन बेहतर होता है।

Disadvantages: LV और HV परतों के बीच उच्च गुणवत्ता वाले इंसुलेशन की आवश्यकता होती है।; साधारण साइड-बाय-साइड व्यवस्था की तुलना में अधिक जटिल वाइंडिंग निर्माण प्रक्रिया।

Applications: डिस्ट्रीब्यूशन ट्रांसफार्मर; पावर ट्रांसफार्मर

Additional Info: कोर-टाइप निर्माण उच्च-वोल्टेज, कम-करंट अनुप्रयोगों के लिए पसंद किया जाता है।. विकल्प B गलत है क्योंकि HV और LV को अलग-अलग लिम्ब पर रखने से अत्यधिक लीकेज फ्लक्स और खराब दक्षता प्राप्त होगी।. विकल्प D 'सैंडविच' वाइंडिंग का वर्णन करता है, जो शेल-टाइप ट्रांसफार्मर की विशेषता है, कोर-टाइप की नहीं।

Answer: A सही है — LV वाइंडिंग को मैग्नेटिक कोर के सबसे करीब रखा जाता है ताकि कंडक्टर और कोर के बीच आवश्यक इंसुलेशन की मात्रा को कम किया जा सके।

Exam Tip: हमेशा याद रखें: 'LV कोर के पास' लागत प्रभावी ट्रांसफार्मर डिजाइन का स्वर्ण नियम है; यह कम-विभव वाली वाइंडिंग और अर्थेड कोर के बीच इंसुलेशन की मोटाई को कम करता है।

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Option B: LV एक लिम्ब पर और HV दूसरे लिम्ब पर

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Option C: प्रत्येक लिम्ब पर आधा LV कोर के बाहर और आधा HV, LV के अंदर होता है

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Option D: LV और HV वाइंडिंग सैंडविच की जाती हैं

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