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रिक्त स्थान भरें: एक चुंबकीय सामग्री में _____ होता है क्योंकि जैसे-जैसे करंट चक्र आगे बढ़ता है, चुंबकीय फ्लक्स घनत्व (magnetic flux density) चुंबकन बल (magnetizing force) से पीछे रहता है।
हिस्टैरिसीस हानि (Hysteresis loss)
एडी करंट हानि (Eddy current loss)
ओमिक हानि (Ohmic loss)
स्किन इफेक्ट (Skin effect)
हिस्टैरिसीस हानि (Hysteresis loss)
हिस्टैरिसीस हानि वह ऊर्जा है जो गर्मी के रूप में नष्ट हो जाती है जब एक चुंबकीय सामग्री को चक्रीय चुंबकन बल के अधीन किया जाता है। यह इसलिए होता है क्योंकि सामग्री के भीतर के चुंबकीय डोमेन बाहरी क्षेत्र के साथ तुरंत पुनर्संरेखित (reorient) नहीं होते हैं, जिससे चुंबकीय फ्लक्स घनत्व B, चुंबकन बल H से पीछे रह जाता है।
IS 648:2009 (चुंबकीय सामग्री)
हिस्टैरिसीस हानि वह ऊर्जा है जो गर्मी के रूप में नष्ट हो जाती है जब एक चुंबकीय सामग्री को चक्रीय चुंबकन बल के अधीन किया जाता है। यह इसलिए होता है क्योंकि सामग्री के भीतर के चुंबकीय डोमेन बाहरी क्षेत्र के साथ तुरंत पुनर्संरेखित (reorient) नहीं होते हैं, जिससे चुंबकीय फ्लक्स घनत्व B, चुंबकन बल H से पीछे रह जाता है।
Wh=η⋅Bmax1.6⋅f⋅V — हिस्टैरिसीस हानि के लिए स्टीनमेट्ज़ का अनुभवजन्य सूत्र
Area=∮H⋅dB — प्रति चक्र प्रति इकाई आयतन में ऊर्जा हानि
जब एक कुंडल (coil) के माध्यम से प्रत्यावर्ती धारा (alternating current) बहती है, तो कोर सामग्री के आंतरिक आणविक चुंबक (डोमेन) बार-बार पलटने के लिए मजबूर होते हैं। इन डोमेन के बीच आंतरिक घर्षण को दूर करने में खर्च की गई ऊर्जा गर्मी के रूप में प्रकट होती है, जिसे B−H हिस्टैरिसीस लूप द्वारा घेरे गए क्षेत्र द्वारा दर्शाया जाता है।
B−H लूप का क्षेत्रफल प्रति चक्र गर्मी के रूप में नष्ट होने वाली ऊर्जा के सीधे आनुपातिक होता है।
कठोर चुंबकीय सामग्रियों में एक विस्तृत हिस्टैरिसीस लूप होता है, जो उच्च हिस्टैरिसीस हानि को दर्शाता है।
ट्रांसफॉर्मर में नरम चुंबकीय सामग्रियों (जैसे सिलिकॉन स्टील) का उपयोग उनके संकीर्ण हिस्टैरिसीस लूप के कारण किया जाता है, जिससे ऊर्जा हानि कम हो जाती है।
हिस्टैरिसीस हानि चुंबकीय क्षेत्र के उत्क्रमण (reversal) की आवृत्ति पर निर्भर करती है।
विस्तृत लूप स्थायी चुंबकों के लिए उपयोगी होते हैं।
छोटे लूप विद्युत मशीनों के लिए ऊर्जा-कुशल सामग्रियों को दर्शाते हैं।
विद्युत मशीनों में गर्मी बढ़ाता है।
पावर ट्रांसफॉर्मर और घूमने वाली मशीनों की समग्र दक्षता को कम करता है।
ट्रांसफॉर्मर कोर डिज़ाइन
चुंबकीय भंडारण मीडिया
विकल्प B (एडी करंट हानि) कोर में प्रेरित धाराओं के कारण होता है, न कि B और H के बीच अंतराल के कारण।
विकल्प C (ओमिक हानि) कंडक्टर में I2R हानि है।
विकल्प D (स्किन इफेक्ट) वह घटना है जहाँ AC करंट कंडक्टर की सतह के पास केंद्रित हो जाता है।
A सही है — हिस्टैरिसीस हानि चुंबकन बल और फ्लक्स घनत्व के बीच चरण अंतराल (phase lag) के कारण होने वाले चुंबकीय डोमेन घर्षण का परिणाम है।
हमेशा याद रखें कि हिस्टैरिसीस हानि आवृत्ति f और लूप के क्षेत्रफल के समानुपाती होती है, जबकि एडी करंट हानि f2 के समानुपाती होती है।
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